RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.89 грн |
| 6000+ | 3.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A.
Інші пропозиції RN1911,LF(CT за ціною від 2.11 грн до 21.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1911,LF(CT | Toshiba |
 Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
на замовлення 8769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RN1911,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN1911,LF(CT |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 8769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 21.33 грн |
| 24+ | 13.99 грн |
| 100+ | 5.84 грн |
| 1000+ | 3.59 грн |
| 3000+ | 2.88 грн |
| 9000+ | 2.25 грн |
| 24000+ | 2.11 грн |
| RN1911,LF(CT |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.