RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.67 грн |
6000+ | 3.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A.
Інші пропозиції RN1911,LF(CT за ціною від 2.07 грн до 20.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RN1911,LF(CT | Виробник : Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
на замовлення 8769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RN1911,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage | Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |