RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.06 грн |
| 6000+ | 3.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A.
Інші пропозиції RN1911,LF(CT за ціною від 2.29 грн до 23.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1911,LF(CT | Виробник : Toshiba |
 Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
на замовлення 8769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RN1911,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |