RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.79 грн |
| 6000+ | 3.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A.
Інші пропозиції RN1911,LF(CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
RN1911,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
RN1911,LF(CT | Toshiba |
Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
на замовлення 8717 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN1911,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN1911,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba
Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 8717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




