RN1911,LXHF(CT

RN1911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


datasheet_en_20211223.pdf?did=18828
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: US6.

Інші пропозиції RN1911,LXHF(CT за ціною від 6.05 грн до 28.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1911,LXHF(CT RN1911,LXHF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage datasheet_en_20211223.pdf?did=18828 Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.53 грн
17+18.67 грн
100+11.17 грн
500+9.70 грн
1000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911,LXHF(CT RN1911,LXHF(CT Виробник : Toshiba RN1911_datasheet_en_20211223-1627249.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR NPNx2 BRT, 10kOhm 10kOhm 50V 0.1A (SOT-363)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.55 грн
15+22.73 грн
100+13.50 грн
500+10.13 грн
1000+7.60 грн
3000+6.47 грн
9000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.