RN1911FE,LXHF(CT

RN1911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN X 2 Q1BSR=10K, Q2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q NPN X 2 Q1BSR=10K, Q2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RN1911FE,LXHF(CT за ціною від 4.05 грн до 28.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1911FE,LXHF(CT RN1911FE,LXHF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1911FE Description: AUTO AEC-Q NPN X 2 Q1BSR=10K, Q2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
17+18.24 грн
100+9.21 грн
500+7.66 грн
1000+5.96 грн
2000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911FE,LXHF(CT RN1911FE,LXHF(CT Виробник : Toshiba RN1911FE_datasheet_en_20211223-1150267.pdf Digital Transistors AUTO AEC-Q NPN x 2 Q1BSR=10kO, Q2BSR=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.75 грн
17+19.97 грн
100+7.80 грн
1000+5.37 грн
8000+4.63 грн
24000+4.41 грн
48000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.