Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2101MFV,L3XHF(CT
RN2101MFV,L3XHF(CT

RN2101MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=5883&prodName=RN2101MFV&returnFlg=false
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.24 грн
27+11.19 грн
100+6.96 грн
500+4.80 грн
1000+4.24 грн
2000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2101MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції RN2101MFV,L3XHF(CT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN2101MFV,L3XHF(CT RN2101MFV,L3XHF(CT Toshiba 10159532EB6E5EFA65FA277A4470D977BA735842879F9497C8F34A4922D92176.pdf Digital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
на замовлення 13620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101MFV,L3XHF(CT 10159532EB6E5EFA65FA277A4470D977BA735842879F9497C8F34A4922D92176.pdf
RN2101MFV,L3XHF(CT
Виробник: Toshiba
Digital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
на замовлення 13620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.