Продукція > TOSHIBA > RN2101MFV,L3XHF(CT
RN2101MFV,L3XHF(CT

RN2101MFV,L3XHF(CT Toshiba


10159532EB6E5EFA65FA277A4470D977BA735842879F9497C8F34A4922D92176.pdf Виробник: Toshiba
Digital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
на замовлення 15429 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.76 грн
30+11.83 грн
100+6.43 грн
500+4.76 грн
1000+3.71 грн
5000+3.02 грн
8000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2101MFV,L3XHF(CT Toshiba

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції RN2101MFV,L3XHF(CT за ціною від 4.01 грн до 20.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2101MFV,L3XHF(CT RN2101MFV,L3XHF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2101MFV&returnFlg=false Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 7975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.45 грн
27+11.89 грн
100+7.40 грн
500+5.10 грн
1000+4.51 грн
2000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN2101MFV,L3XHF(CT RN2101MFV,L3XHF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2101MFV&returnFlg=false Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.