Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2102MFV,L3F(CT
RN2102MFV,L3F(CT

RN2102MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 8000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2102MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції RN2102MFV,L3F(CT за ціною від 2.02 грн до 12.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN2102MFV,L3F(CT RN2102MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
34+8.91 грн
100+4.78 грн
500+3.52 грн
1000+2.44 грн
2000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CT Toshiba RN2102MFV_datasheet_en_20210818-1116149.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 10kohm 10kohm 0.1A SOT-723 50V
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CT Toshiba docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV RN2102MFV,L3F(CT
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV
RN2102MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.54 грн
34+8.91 грн
100+4.78 грн
500+3.52 грн
1000+2.44 грн
2000+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CT RN2102MFV_datasheet_en_20210818-1116149.pdf
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased 10kohm 10kohm 0.1A SOT-723 50V
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV
Виробник: Toshiba
RN2102MFV,L3F(CT
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1701 шт
В кошику  од. на суму  грн.