Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2102MFV,L3F(CT
RN2102MFV,L3F(CT

RN2102MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2102MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції RN2102MFV,L3F(CT за ціною від 1.76 грн до 14.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2102MFV,L3F(CT RN2102MFV,L3F(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.70 грн
34+9.02 грн
100+4.84 грн
500+3.56 грн
1000+2.47 грн
2000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CT Виробник : Toshiba RN2102MFV_datasheet_en_20210818-1116149.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 10kohm 10kohm 0.1A SOT-723 50V
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.47 грн
26+13.34 грн
100+6.31 грн
500+3.89 грн
1000+2.72 грн
2500+2.05 грн
8000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
RN2102MFV,L3F(CT Виробник : Toshiba 32984751223935353298474367649225rn2101mfv_datasheet_en_20160914.pdf.pdf Silicon PNP Epitaxial PCT Process Bias Resistor built-in Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.