Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2103MFV,L3F(CT

RN2103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Name: RN2103MFV,L3F(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 12591273-3
Price: 324 UAH
Availability: InStock

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms

на замовлення 6790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
24+	13.50 грн
26+	11.93 грн
100+	6.50 грн
500+	3.76 грн
1000+	2.56 грн
2000+	2.18 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RN2103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.

Інші пропозиції RN2103MFV,L3F(CT

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	RN2103MFV,L3F(CT	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	RN2103MFV,L3F(CT	Виробник : Toshiba	Bipolar Transistors - Pre-Biased 22kohm 22kohm 0.1A SOT-723 50V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.