Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2103MFV,L3F(CT

RN2103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Name: RN2103MFV,L3F(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 12591273-3
Price: 322.80 UAH
Availability: InStock

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 6790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
24+	13.45 грн
26+	11.89 грн
100+	6.48 грн
500+	3.74 грн
1000+	2.55 грн
2000+	2.17 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RN2103MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: VESM, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN2103MFV,L3F(CT

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	RN2103MFV,L3F(CT	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: VESM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	RN2103MFV,L3F(CT	Виробник : Toshiba	Bipolar Transistors - Pre-Biased 22kohm 22kohm 0.1A SOT-723 50V	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.