Технічний опис RN2104,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package.
Інші пропозиції RN2104,LF(CT за ціною від 2.94 грн до 16.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RN2104,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM |
на замовлення 5735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RN2104,LF(CT | Toshiba |
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package |
на замовлення 8893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN2104,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 5735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 16.93 грн |
| 23+ | 13.19 грн |
| 100+ | 7.00 грн |
| 500+ | 4.32 грн |
| 1000+ | 2.94 грн |
| RN2104,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
на замовлення 8893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




