Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2104MFV,L3XHF(CT
RN2104MFV,L3XHF(CT

RN2104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=5883&prodName=RN2101MFV&returnFlg=false Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.90 грн
27+11.57 грн
100+7.20 грн
500+4.97 грн
1000+4.39 грн
2000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2104MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RN2104MFV,L3XHF(CT за ціною від 3.24 грн до 21.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2104MFV,L3XHF(CT RN2104MFV,L3XHF(CT Виробник : Toshiba RN2104MFV_datasheet_en_20241029-1116222.pdf Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
на замовлення 7530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+21.20 грн
27+12.69 грн
100+6.92 грн
500+5.08 грн
1000+3.97 грн
2500+3.90 грн
5000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RN2104MFV,L3XHF(CT RN2104MFV,L3XHF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2101MFV&returnFlg=false Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.