_SPL.jpg "RN2104MFV,L3XHF(CT")
RN2104MFV,L3XHF(CT Toshiba
Виробник: Toshiba
Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.77 грн |
| 28+ | 11.97 грн |
| 100+ | 6.54 грн |
| 500+ | 4.78 грн |
| 1000+ | 3.73 грн |
| 5000+ | 2.81 грн |
| 8000+ | 2.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2104MFV,L3XHF(CT Toshiba
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RN2104MFV,L3XHF(CT за ціною від 3.87 грн до 19.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN2104MFV,L3XHF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|