Технічний опис RN2105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package.
Інші пропозиції RN2105,LF(CT за ціною від 2.77 грн до 16.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RN2105,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM |
на замовлення 5709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RN2105,LF(CT | Toshiba |
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
RN2105,LF(CT | Toshiba |
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1122 шт В кошику од. на суму грн. |
| RN2105,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 16.16 грн |
| 24+ | 12.45 грн |
| 100+ | 6.60 грн |
| 500+ | 4.08 грн |
| 1000+ | 2.77 грн |
| RN2105,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RN2105,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





