RN2106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.18 грн |
| 16+ | 19.82 грн |
| 100+ | 11.23 грн |
| 500+ | 6.98 грн |
| 1000+ | 5.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2106,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416).
Інші пропозиції RN2106,LXHF(CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN2106,LXHF(CT | Toshiba |
 Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) |
на замовлення 11892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN2106,LXHF(CT |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
на замовлення 11892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)