Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2107,LF(CT
RN2107,LF(CT

RN2107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM, Supplier Device Package: SSM, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistors Included: R1 and R2, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Frequency - Transition: 200 MHz, Power - Max: 100 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA.

Інші пропозиції RN2107,LF(CT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN2107,LF(CT RN2107,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CT RN2107,LF(CT Toshiba 3335334346343946374132454637303445313436424131374437393043373531.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CT RN2107,LF(CT Toshiba 291docget.jsptypedatasheetlangenpidrn2107.jsptypedatasheetlangenpidr.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
RN2107,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CT 3335334346343946374132454637303445313436424131374437393043373531.pdf
RN2107,LF(CT
Виробник: Toshiba
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2107,LF(CT 291docget.jsptypedatasheetlangenpidrn2107.jsptypedatasheetlangenpidr.pdf
RN2107,LF(CT
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.