RN2108,LF(CT Toshiba
Виробник: ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
на замовлення 8899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 15.41 грн |
| 26+ | 13.00 грн |
| 100+ | 6.16 грн |
| 500+ | 4.04 грн |
| 1000+ | 2.79 грн |
| 3000+ | 2.20 грн |
| 9000+ | 1.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2108,LF(CT Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package.
Інші пропозиції RN2108,LF(CT за ціною від 2.86 грн до 16.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN2108,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
RN2108,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM |
товару немає в наявності |