RN2109,LF(CT Toshiba
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2109,LF(CT Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package.
Інші пропозиції RN2109,LF(CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
RN2109,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
RN2109,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| RN2109,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RN2109,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



