Продукція > TOSHIBA > RN2109,LF(CT
RN2109,LF(CT

RN2109,LF(CT Toshiba

RN2109_datasheet_en_20210830-1627129.pdf
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
на замовлення 7399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+16.02 грн
25+12.91 грн
100+6.00 грн
500+3.90 грн
1000+2.72 грн
3000+2.02 грн
9000+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2109,LF(CT Toshiba

Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package.

Інші пропозиції RN2109,LF(CT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2109,LF(CT RN2109,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109,LF(CT RN2109,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.