RN2109,LF(CT Toshiba
Виробник: ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
на замовлення 7399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 16.87 грн |
| 25+ | 13.59 грн |
| 100+ | 6.31 грн |
| 500+ | 4.11 грн |
| 1000+ | 2.86 грн |
| 3000+ | 2.13 грн |
| 9000+ | 1.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2109,LF(CT Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package.
Інші пропозиції RN2109,LF(CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN2109,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM |
товару немає в наявності |
|
|
|
RN2109,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM |
товару немає в наявності |