RN2109,LXHF(CT

RN2109,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.89 грн
6000+4.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2109,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Frequency - Transition: 200 MHz, Power - Max: 100 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SSM, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA.

Інші пропозиції RN2109,LXHF(CT за ціною від 3.31 грн до 26.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2109,LXHF(CT RN2109,LXHF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.11 грн
17+18.82 грн
100+10.67 грн
500+6.63 грн
1000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109,LXHF(CT RN2109,LXHF(CT Виробник : Toshiba RN2109_datasheet_en_20210830-1627129.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.25 грн
17+19.41 грн
100+9.49 грн
500+6.33 грн
1000+4.92 грн
3000+3.80 грн
9000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.