Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2109,LXHF(CT
RN2109,LXHF(CT

RN2109,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.76 грн
6000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2109,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Frequency - Transition: 200 MHz, Power - Max: 100 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SSM, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA.

Інші пропозиції RN2109,LXHF(CT за ціною від 4.94 грн до 25.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN2109,LXHF(CT RN2109,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109 Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.40 грн
17+18.31 грн
100+10.38 грн
500+6.45 грн
1000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109,LXHF(CT RN2109,LXHF(CT Toshiba RN2109_datasheet_en_20210830-1627129.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109,LXHF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109
RN2109,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47KOHM,
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.40 грн
17+18.31 грн
100+10.38 грн
500+6.45 грн
1000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2109,LXHF(CT RN2109_datasheet_en_20210830-1627129.pdf
RN2109,LXHF(CT
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.