Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2111MFV,L3F
RN2111MFV,L3F

RN2111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

RN2111MFV_datasheet_en_20190107.pdf?did=5885&prodName=RN2111MFV Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.50 грн
39+7.95 грн
100+4.95 грн
500+3.38 грн
1000+2.97 грн
2000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistors Included: R1 Only.

Інші пропозиції RN2111MFV,L3F

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2111MFV,L3F RN2111MFV,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2111MFV_datasheet_en_20190107.pdf?did=5885&prodName=RN2111MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2111MFV,L3F RN2111MFV,L3F Виробник : Toshiba RN2111MFV_datasheet_en_20190107-1760686.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.