Продукція > TOSHIBA > RN2113,LXHF(CT

RN2113,LXHF(CT Toshiba

Name: RN2113,LXHF(CT
Brand: Toshiba
SKU: 15382099-4
Price: 368.06 UAH
Availability: InStock

RN2113_datasheet_en_20210830-1627200.pdf

Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
14+	26.29 грн
18+	19.07 грн
100+	9.39 грн
1000+	4.77 грн
3000+	3.82 грн
9000+	3.30 грн
24000+	3.08 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RN2113,LXHF(CT Toshiba

Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: SSM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms.

Інші пропозиції RN2113,LXHF(CT

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	RN2113,LXHF(CT	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	RN2113,LXHF(CT	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22KOHM, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.