RN2113,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=18854&prodName=RN2112
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2113,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: SSM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 Only.

Інші пропозиції RN2113,LXHF(CT за ціною від 4.73 грн до 20.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN2113,LXHF(CT RN2113,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18854&prodName=RN2112 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.78 грн
24+12.38 грн
100+7.72 грн
500+5.35 грн
1000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113,LXHF(CT RN2113,LXHF(CT Toshiba RN2113_datasheet_en_20210830-1627200.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113,LXHF(CT docget.jsp?did=18854&prodName=RN2112
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.78 грн
24+12.38 грн
100+7.72 грн
500+5.35 грн
1000+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2113,LXHF(CT RN2113_datasheet_en_20210830-1627200.pdf
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.