Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2304,LF
RN2304,LF

RN2304,LF Toshiba Semiconductor and Storage

RN2304_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2304 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.42 грн
64+5.00 грн
100+3.34 грн
500+2.37 грн
1000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2304,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SC-70, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції RN2304,LF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2304,LF RN2304,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2304_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2304 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304,LF RN2304,LF Виробник : Toshiba RN2304_datasheet_en_20210824-1760605.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 47kohm 47kohm 0.1A SOT-323 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.