Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2306,LF
RN2306,LF

RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage

RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.16 грн
60+5.27 грн
100+3.51 грн
500+2.50 грн
1000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SC-70, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції RN2306,LF за ціною від 1.36 грн до 13.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2306,LF RN2306,LF Виробник : Toshiba RN2306_datasheet_en_20210824-1916058.pdf Digital Transistors USM TRANSISTOR Pd 100mW F 200Mhz
на замовлення 10207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.12 грн
44+8.07 грн
100+3.17 грн
1000+2.72 грн
3000+2.19 грн
9000+1.81 грн
24000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306,LF RN2306,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18998&prodName=RN2301 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.