RN2306,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.61 грн |
| 28+ | 10.89 грн |
| 100+ | 7.29 грн |
| 500+ | 5.25 грн |
| 1000+ | 4.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2306,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SC-70, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції RN2306,LXHF за ціною від 3.02 грн до 25.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN2306,LXHF | Виробник : Toshiba |
Digital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP , R1=4.7kOhm, R2=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-323) |
на замовлення 8407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|