Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2309(TE85L,F)

RN2309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Name: RN2309(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 4304361-3
Price: 3.19 UAH
Availability: InStock

RN2307_datasheet_en_20210824.pdf?did=19003&prodName=RN2307

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms

на замовлення 2698 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
16+	18.01 грн
23+	12.07 грн
100+	5.86 грн
500+	4.59 грн
1000+	3.19 грн

Мінімальне замовлення: 16

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RN2309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SC-70, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.

Інші пропозиції RN2309(TE85L,F)

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	RN2309(TE85L,F)	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms	товар відсутній
	RN2309(TE85L,F)	Виробник : Toshiba	Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 47K x 22Kohms	товар відсутній