RN2310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Frequency - Transition: 200 MHz, Power - Max: 100 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SC-70, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RN2310(TE85L,F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| RN2310(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7Kohms |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| RN2310(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7Kohms
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7Kohms
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.