Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2310,LF

RN2310,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Name: RN2310,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 4880092-3
Price: 322.19 UAH
Availability: InStock

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms

на замовлення 2950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
29+	11.11 грн
47+	6.57 грн
100+	4.07 грн
500+	2.77 грн
1000+	2.43 грн

Мінімальне замовлення: 29

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RN2310,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: SC-70, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms.

Інші пропозиції RN2310,LF

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	RN2310,LF	Виробник : Toshiba	Bipolar Transistors - Pre-Biased USM PLN TRANSISTOR Pd 100mW F 200Mhz	на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
	RN2310,LF	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.