на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8475+ | 3.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2402S,LF(D Toshiba
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції RN2402S,LF(D
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
RN2402S,LF(D | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
товару немає в наявності |
|
RN2402S,LF(D | Виробник : Toshiba |
![]() |
товару немає в наявності |