Продукція > TOSHIBA > RN2402S,LF(D

RN2402S,LF(D Toshiba


docget.jsp?did=18874&prodName=RN2401 Виробник: Toshiba
TRANSISTOR
на замовлення 201000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8475+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 8475
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2402S,LF(D Toshiba

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: S-Mini, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції RN2402S,LF(D

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2402S,LF(D RN2402S,LF(D Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18874&prodName=RN2401 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2402S,LF(D Виробник : Toshiba RN2401_datasheet_en_20210830-1132558.pdf Digital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.