Продукція > TOSHIBA > RN2402S,LF(D

RN2402S,LF(D Toshiba

45docget.jsppidrn2404langentypedatasheet.jsppidrn2404langentypedata.pdf
Виробник: Toshiba
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-In Transistor)
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7110+4.95 грн
10000+4.40 грн
100000+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 7110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2402S,LF(D Toshiba

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Frequency - Transition: 200 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: S-Mini, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN2402S,LF(D

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN2402S,LF(D RN2402S,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18874&prodName=RN2401 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2402S,LF(D Toshiba RN2401_datasheet_en_20210830-1132558.pdf Digital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2402S,LF(D docget.jsp?did=18874&prodName=RN2401
RN2402S,LF(D
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2402S,LF(D RN2401_datasheet_en_20210830-1132558.pdf
Виробник: Toshiba
Digital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.