Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2406,LF
RN2406,LF

RN2406,LF Toshiba Semiconductor and Storage

RN2406_datasheet_en_20210830.pdf?did=18874&prodName=RN2406 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.27 грн
6000+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2406,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції RN2406,LF за ціною від 1.25 грн до 13.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2406,LF RN2406,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2406_datasheet_en_20210830.pdf?did=18874&prodName=RN2406 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.14 грн
45+6.82 грн
100+4.19 грн
500+2.86 грн
1000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RN2406,LF RN2406,LF Виробник : Toshiba RN2406_datasheet_en_20210830-1627369.pdf Digital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 29030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
26+13.56 грн
38+9.14 грн
100+3.60 грн
1000+2.13 грн
9000+1.84 грн
24000+1.69 грн
45000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.