Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2412,LXHF
RN2412,LXHF

RN2412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

RN2412_datasheet_en_20210830.pdf?did=18881&prodName=RN2412
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.60 грн
6000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI, Frequency - Transition: 200 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Grade: Automotive, Supplier Device Package: S-Mini, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Resistor - Base (R1): 22 kOhms.

Інші пропозиції RN2412,LXHF за ціною від 4.98 грн до 22.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN2412,LXHF RN2412,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN2412_datasheet_en_20210830.pdf?did=18881&prodName=RN2412 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.32 грн
23+12.97 грн
100+8.11 грн
500+5.62 грн
1000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2412,LXHF RN2412,LXHF Toshiba RN2412_datasheet_en_20210830-2584093.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=22kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2412,LXHF RN2412_datasheet_en_20210830.pdf?did=18881&prodName=RN2412
RN2412,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.32 грн
23+12.97 грн
100+8.11 грн
500+5.62 грн
1000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2412,LXHF RN2412_datasheet_en_20210830-2584093.pdf
RN2412,LXHF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=22kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.