RN2415,LXHF

RN2415,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage


RN2415_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2415 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2415,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: S-Mini, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RN2415,LXHF за ціною від 3.16 грн до 27.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2415,LXHF RN2415,LXHF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2415_datasheet_en_20210830.pdf?did=18883&prodName=RN2415 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.08 грн
23+13.41 грн
100+8.38 грн
500+5.81 грн
1000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2415,LXHF RN2415,LXHF Виробник : Toshiba RN2415_datasheet_en_20210830-1889828.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+27.12 грн
19+18.53 грн
100+6.69 грн
1000+4.93 грн
3000+3.90 грн
9000+3.46 грн
24000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.