RN2416,LF Toshiba
Виробник: ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
на замовлення 8799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 14.40 грн |
| 26+ | 13.67 грн |
| 100+ | 7.24 грн |
| 500+ | 4.49 грн |
| 1000+ | 3.05 грн |
| 3000+ | 1.90 грн |
| 9000+ | 1.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2416,LF Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package.
Інші пропозиції RN2416,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN2416,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
RN2416,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |