RN2416,LF Toshiba
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2416,LF Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package.
Інші пропозиції RN2416,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN2416,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
RN2416,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| RN2416,LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN2416,LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)