Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2425(TE85L,F)
RN2425(TE85L,F)

RN2425(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18885&prodName=RN2425 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2425(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R2 Only.

Інші пропозиції RN2425(TE85L,F) за ціною від 5.08 грн до 34.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2425(TE85L,F) RN2425(TE85L,F) Виробник : Toshiba 29docget.jsppidrn2427langentypedatasheet.jsppidrn2427langentypedata.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
667+18.30 грн
671+18.20 грн
795+15.36 грн
1000+14.02 грн
3000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 667
В кошику  од. на суму  грн.
RN2425(TE85L,F) RN2425(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18885&prodName=RN2425 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only
на замовлення 11279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.63 грн
17+19.08 грн
100+12.09 грн
500+8.48 грн
1000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN2425(TE85L,F) RN2425(TE85L,F) Виробник : Toshiba RN2425_datasheet_en_20140301-1627339.pdf Digital Transistors TRANSISTOR
на замовлення 63160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.33 грн
16+21.15 грн
100+10.67 грн
500+8.75 грн
1000+7.36 грн
3000+5.96 грн
9000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN2425(TE85L,F) RN2425(TE85L,F) Виробник : Toshiba 29docget.jsppidrn2427langentypedatasheet.jsppidrn2427langentypedata.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.