Інші пропозиції RN2425(TE85L,F) за ціною від 5.26 грн до 40.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RN2425(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINIResistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistors Included: R2 Only |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RN2425(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINIResistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Supplier Device Package: S-Mini DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Resistors Included: R2 Only |
на замовлення 16438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RN2425(TE85L,F) | Toshiba |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 2510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
RN2425(TE85L,F) | Toshiba |
Digital Transistors TRANS-SS PNP SOT23 50V |
на замовлення 40954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN2425(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R2 Only
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R2 Only
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.36 грн |
| 6000+ | 5.55 грн |
| 9000+ | 5.26 грн |
| RN2425(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R2 Only
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R2 Only
на замовлення 16438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.02 грн |
| 17+ | 17.79 грн |
| 100+ | 11.22 грн |
| 500+ | 7.88 грн |
| 1000+ | 7.02 грн |
| RN2425(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT PNP 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 0.8A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 348+ | 40.46 грн |
| 571+ | 24.63 грн |
| 1000+ | 15.64 грн |
| RN2425(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Digital Transistors TRANS-SS PNP SOT23 50V
Digital Transistors TRANS-SS PNP SOT23 50V
на замовлення 40954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





