Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2427TE85LF
RN2427TE85LF

RN2427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

RN2422_datasheet_en_20140301.pdf?did=18885&prodName=RN2422 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.32 грн
6000+5.58 грн
9000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції RN2427TE85LF за ціною від 5.30 грн до 35.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2427TE85LF RN2427TE85LF Виробник : Toshiba 29docget.jsppidrn2427langentypedatasheet.jsppidrn2427langentypedata.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
828+14.75 грн
1026+11.90 грн
1091+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 828
В кошику  од. на суму  грн.
RN2427TE85LF RN2427TE85LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2422_datasheet_en_20140301.pdf?did=18885&prodName=RN2422 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 11310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.08 грн
21+15.10 грн
100+10.15 грн
500+7.36 грн
1000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2427TE85LF RN2427TE85LF Виробник : Toshiba RN2422_datasheet_en_20140301-1143939.pdf Digital Transistors PNP 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
на замовлення 5825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.96 грн
16+21.91 грн
100+11.04 грн
500+9.12 грн
1000+7.65 грн
3000+6.18 грн
9000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN2427TE85LF RN2427TE85LF Виробник : Toshiba 29docget.jsppidrn2427langentypedatasheet.jsppidrn2427langentypedata.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.