Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2427TE85LF
RN2427TE85LF

RN2427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

RN2422_datasheet_en_20140301.pdf?did=18885&prodName=RN2422
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.11 грн
6000+5.39 грн
9000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 200 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції RN2427TE85LF за ціною від 6.43 грн до 22.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN2427TE85LF RN2427TE85LF Toshiba 29docget.jsppidrn2427langentypedatasheet.jsppidrn2427langentypedata.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
828+16.98 грн
1026+13.70 грн
1091+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 828 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2427TE85LF RN2427TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2422_datasheet_en_20140301.pdf?did=18885&prodName=RN2422 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 11310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.32 грн
21+14.60 грн
100+9.82 грн
500+7.12 грн
1000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2427TE85LF RN2427TE85LF Toshiba RN2422_datasheet_en_20140301-1143939.pdf Digital Transistors PNP 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2427TE85LF 29docget.jsppidrn2427langentypedatasheet.jsppidrn2427langentypedata.pdf
RN2427TE85LF
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT PNP 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
828+16.98 грн
1026+13.70 грн
1091+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 828 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2427TE85LF RN2422_datasheet_en_20140301.pdf?did=18885&prodName=RN2422
RN2427TE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 11310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.32 грн
21+14.60 грн
100+9.82 грн
500+7.12 грн
1000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2427TE85LF RN2422_datasheet_en_20140301-1143939.pdf
RN2427TE85LF
Виробник: Toshiba
Digital Transistors PNP 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
на замовлення 5778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.