RN2504(TE85L,F) Toshiba
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 31.35 грн |
| 19+ | 19.10 грн |
| 100+ | 7.88 грн |
| 1000+ | 6.97 грн |
| 3000+ | 5.21 грн |
| 9000+ | 3.60 грн |
| 24000+ | 3.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2504(TE85L,F) Toshiba
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SMV, Part Status: Active.
Інші пропозиції RN2504(TE85L,F) за ціною від 16.09 грн до 39.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN2504(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMVPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SMV Part Status: Active |
на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
RN2504(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SMV Part Status: Active |
товару немає в наявності |