
RN2504(TE85L,F) Toshiba
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 30.30 грн |
16+ | 21.91 грн |
100+ | 9.27 грн |
1000+ | 5.52 грн |
3000+ | 4.63 грн |
9000+ | 3.75 грн |
24000+ | 3.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2504(TE85L,F) Toshiba
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SMV, Part Status: Active.
Інші пропозиції RN2504(TE85L,F) за ціною від 15.46 грн до 38.20 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
RN2504(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SMV Part Status: Active |
на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
RN2504(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SMV Part Status: Active |
товару немає в наявності |