RN2506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


RN2501_datasheet_en_20191119.pdf?did=18887&prodName=RN2501
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SMV
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.79 грн
6000+4.15 грн
9000+3.92 грн
15000+3.43 грн
21000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SMV, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74A, SOT-753, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: SMV.

Інші пропозиції RN2506(TE85L,F) за ціною від 5.18 грн до 23.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN2506(TE85L,F) RN2506(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2501_datasheet_en_20191119.pdf?did=18887&prodName=RN2501 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 21093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.30 грн
23+13.54 грн
100+8.42 грн
500+5.84 грн
1000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2506(TE85L,F) RN2506(TE85L,F) Toshiba lookup.jsp?pid=RN2506&lang=en Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2506(TE85L,F) RN2501_datasheet_en_20191119.pdf?did=18887&prodName=RN2501
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 21093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.30 грн
23+13.54 грн
100+8.42 грн
500+5.84 грн
1000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2506(TE85L,F) lookup.jsp?pid=RN2506&lang=en
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.