RN2510(TE85L,F)

RN2510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


RN2510_datasheet_en_20191121.pdf?did=18892&prodName=RN2510
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SMV
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMV
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SMV, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74A, SOT-753, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: SMV, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO).

Інші пропозиції RN2510(TE85L,F) за ціною від 3.02 грн до 31.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2510(TE85L,F) RN2510(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2510_datasheet_en_20191121.pdf?did=18892&prodName=RN2510 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SMV
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMV
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.90 грн
19+16.08 грн
100+10.10 грн
500+7.05 грн
1000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2510(TE85L,F) RN2510(TE85L,F) Виробник : Toshiba RN2510_datasheet_en_20191121-1609097.pdf Digital Transistors SMV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=200MHz
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.26 грн
15+22.00 грн
100+8.37 грн
1000+5.27 грн
3000+3.59 грн
9000+3.38 грн
45000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.