Продукція > TOSHIBA > RN2605(TE85L,F)
RN2605(TE85L,F)

RN2605(TE85L,F) Toshiba


RN2601-06.pdf Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
на замовлення 250 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.33 грн
16+ 19.65 грн
100+ 9.68 грн
500+ 6.41 грн
1000+ 4.94 грн
3000+ 3.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2605(TE85L,F) Toshiba

Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SM6, Part Status: Active.

Інші пропозиції RN2605(TE85L,F) за ціною від 24.06 грн до 33.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN2605(TE85L,F) RN2605(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2601-06.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.94 грн
12+ 24.06 грн
Мінімальне замовлення: 9
RN2605(TE85L,F) RN2605(TE85L,F) Виробник : Toshiba rn2601_datasheet_en_20190625.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SM T/R
товар відсутній
RN2605(TE85L,F) RN2605(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2601-06.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
товар відсутній