RN2605(TE85L,F)

RN2605(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


RN2601-06.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2605(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6, Part Status: Active, Supplier Device Package: SM6, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74, SOT-457, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN2605(TE85L,F) за ціною від 3.09 грн до 26.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2605(TE85L,F) RN2605(TE85L,F) Виробник : Toshiba RN2601-06.pdf Digital Transistors SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
на замовлення 12499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.59 грн
25+13.43 грн
100+6.05 грн
1000+5.42 грн
3000+3.94 грн
24000+3.38 грн
45000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN2605(TE85L,F) RN2605(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2601-06.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.90 грн
19+16.23 грн
100+10.19 грн
500+7.11 грн
1000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.