Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2606(TE85L,F)
RN2606(TE85L,F)

RN2606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

RN2601-06.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.69 грн
19+16.61 грн
100+10.41 грн
500+7.27 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6, Part Status: Active, Supplier Device Package: SM6, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74, SOT-457, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN2606(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2606(TE85L,F) TOSHIBA RN2601-06.pdf SOT26/SOT363
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2606(TE85L,F) RN2601-06.pdf
Виробник: TOSHIBA
SOT26/SOT363
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.