Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2703JE(TE85L,F)
RN2703JE(TE85L,F)

RN2703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19089&prodName=RN2705JE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+6.53 грн
8000+5.66 грн
12000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV, Supplier Device Package: ESV, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 100mW, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-553, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN2703JE(TE85L,F) за ціною від 5.90 грн до 35.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN2703JE(TE85L,F) RN2703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19089&prodName=RN2705JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 31420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.41 грн
12+25.13 грн
100+14.25 грн
500+8.85 грн
1000+6.79 грн
2000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2703JE(TE85L,F) RN2703JE(TE85L,F) Toshiba A25977129EB5E00CB4B0AD8FC0911B0727D7CB8C78CFA927744ECB102F0DBA91.pdf Digital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
на замовлення 3910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2703JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19089&prodName=RN2705JE
RN2703JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 31420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.41 грн
12+25.13 грн
100+14.25 грн
500+8.85 грн
1000+6.79 грн
2000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2703JE(TE85L,F) A25977129EB5E00CB4B0AD8FC0911B0727D7CB8C78CFA927744ECB102F0DBA91.pdf
RN2703JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Digital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
на замовлення 3910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.