Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2705,LF
RN2705,LF

RN2705,LF Toshiba Semiconductor and Storage

RN2705_datasheet_en_20191024.pdf?did=18900&prodName=RN2705 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.30 грн
30+10.50 грн
100+6.53 грн
500+4.49 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2705,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PNPX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: USV.

Інші пропозиції RN2705,LF за ціною від 1.91 грн до 19.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2705,LF RN2705,LF Виробник : Toshiba RN2705_datasheet_en_20191024-1627285.pdf Digital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.14 грн
30+11.42 грн
100+4.49 грн
1000+3.75 грн
3000+2.13 грн
9000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RN2705,LF RN2705,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2705_datasheet_en_20191024.pdf?did=18900&prodName=RN2705 Description: PNPX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.