Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2709,LF
RN2709,LF

RN2709,LF Toshiba Semiconductor and Storage

RN2709_datasheet_en_20191029.pdf?did=18903&prodName=RN2709 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.30 грн
30+10.50 грн
100+6.53 грн
500+4.49 грн
1000+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2709,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: USV.

Інші пропозиції RN2709,LF за ціною від 2.65 грн до 23.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2709,LF RN2709,LF Виробник : Toshiba RN2709_datasheet_en_20191029-1627327.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 8849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.95 грн
18+19.12 грн
100+8.83 грн
500+5.81 грн
1000+3.97 грн
3000+3.02 грн
9000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN2709,LF RN2709,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2709_datasheet_en_20191029.pdf?did=18903&prodName=RN2709 Description: PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.