Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2713JE(TE85L,F)
RN2713JE(TE85L,F)

RN2713JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=565&prodName=RN2713JE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.18 грн
12+26.36 грн
100+14.93 грн
500+9.28 грн
1000+7.11 грн
2000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2713JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV, Part Status: Active, Supplier Device Package: ESV, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-553, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 100mW.

Інші пропозиції RN2713JE(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2713JE(TE85L,F) RN2713JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=565&prodName=RN2713JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 100mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2713JE(TE85L,F) RN2713JE(TE85L,F) Toshiba RN2713JE_datasheet_en_20140301-1609072.pdf Digital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2713JE(TE85L,F) docget.jsp?did=565&prodName=RN2713JE
RN2713JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Part Status: Active
Supplier Device Package: ESV
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 100mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2713JE(TE85L,F) RN2713JE_datasheet_en_20140301-1609072.pdf
RN2713JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Digital Transistors ESV PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.