RN2901,LF(CT Toshiba
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.94 грн |
| 20+ | 16.58 грн |
| 100+ | 7.67 грн |
| 500+ | 5.20 грн |
| 1000+ | 3.52 грн |
| 3000+ | 2.81 грн |
| 9000+ | 2.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN2901,LF(CT Toshiba
Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms, Supplier Device Package: US6.
Інші пропозиції RN2901,LF(CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN2901,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |