Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2901FE(TE85L,F)
RN2901FE(TE85L,F)

RN2901FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.71 грн
16+19.72 грн
100+11.15 грн
500+6.93 грн
1000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2901FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 100mW, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: ES6, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms.

Інші пропозиції RN2901FE(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN2901FE(TE85L,F) RN2901FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2901FE(TE85L,F) RN2901FE(TE85L,F) Toshiba RN2901FE_datasheet_en_20210818-1608994.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2901FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2901FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2901FE(TE85L,F) RN2901FE_datasheet_en_20210818-1608994.pdf
RN2901FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.