RN2901FE(TE85L,F)

RN2901FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.48 грн
16+20.27 грн
100+11.46 грн
500+7.12 грн
1000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2901FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 100mW, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: ES6, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms.

Інші пропозиції RN2901FE(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2901FE(TE85L,F) RN2901FE(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2901FE(TE85L,F) RN2901FE(TE85L,F) Виробник : Toshiba RN2901FE_datasheet_en_20210818-1608994.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.