Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2902,LF(CT
RN2902,LF(CT

RN2902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.00 грн
6000+3.35 грн
15000+2.84 грн
30000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - RN2902,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, Verlustleistung: 200mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V.

Інші пропозиції RN2902,LF(CT за ціною від 4.00 грн до 22.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN2902,LF(CT RN2902,LF(CT Toshiba docget.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 6-Pin US T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1072+13.11 грн
1721+8.17 грн
2000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 1072 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902,LF(CT RN2902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 33038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.32 грн
17+17.94 грн
100+9.54 грн
500+5.89 грн
1000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902,LF(CT RN2902,LF(CT Toshiba 119BEC237AE2B1805D74D5D0B03BEE8342793679129A3D3B229E27455E04B448.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 8695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902,LF(CT RN2902,LF(CT TOSHIBA 4008658.pdf Description: TOSHIBA - RN2902,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902,LF(CT RN2902,LF(CT TOSHIBA 4008658.pdf Description: TOSHIBA - RN2902,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902,LF(CT docget.pdf
RN2902,LF(CT
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 6-Pin US T/R
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1072+13.11 грн
1721+8.17 грн
2000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 1072 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902,LF(CT docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906
RN2902,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 33038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.32 грн
17+17.94 грн
100+9.54 грн
500+5.89 грн
1000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902,LF(CT 119BEC237AE2B1805D74D5D0B03BEE8342793679129A3D3B229E27455E04B448.pdf
RN2902,LF(CT
Виробник: Toshiba
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 8695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902,LF(CT 4008658.pdf
RN2902,LF(CT
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2902,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902,LF(CT 4008658.pdf
RN2902,LF(CT
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2902,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.