Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2903FE(TE85L,F)
RN2903FE(TE85L,F)

RN2903FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.49 грн
24+12.80 грн
100+7.99 грн
500+5.53 грн
1000+4.90 грн
2000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2903FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.

Інші пропозиції RN2903FE(TE85L,F) за ціною від 7.18 грн до 7.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2903FE(TE85L,F) Виробник : Toshiba RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 100mW 6-Pin ES T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4250+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 4250
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903FE(TE85L,F) RN2903FE(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903FE(TE85L,F) RN2903FE(TE85L,F) Виробник : Toshiba RN2903FE_datasheet_en_20211223-1609052.pdf Digital Transistors ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=200mW F=200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.