Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2906,LF
RN2906,LF

RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: US6, Part Status: Active.

Інші пропозиції RN2906,LF за ціною від 1.99 грн до 18.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2906,LF RN2906,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 5268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
32+9.89 грн
100+6.12 грн
500+4.21 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906,LF RN2906,LF Виробник : Toshiba RN2906_datasheet_en_20230112-1132648.pdf Digital Transistors US6-PLN
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.37 грн
35+9.90 грн
100+4.41 грн
1000+3.60 грн
3000+2.80 грн
9000+2.28 грн
45000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906,LF RN2906,LF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906,LF RN2906,LF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906,LF RN2906,LF Виробник : Toshiba docget.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin US T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.