Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2906FE,LF(CT
RN2906FE,LF(CT

RN2906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+16.02 грн
27+ 10.45 грн
100+ 5.1 грн
500+ 3.99 грн
1000+ 2.77 грн
2000+ 2.4 грн
Мінімальне замовлення: 19
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: ES6.

Інші пропозиції RN2906FE,LF(CT за ціною від 2.42 грн до 18.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN2906FE,LF(CT RN2906FE,LF(CT Виробник : Toshiba RN2906FE_datasheet_en_20210818-1150899.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 11899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+18.46 грн
21+ 15.02 грн
100+ 6.87 грн
500+ 4.58 грн
1000+ 3.1 грн
4000+ 2.69 грн
8000+ 2.42 грн
Мінімальне замовлення: 18
RN2906FE,LF(CT RN2906FE,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
товар відсутній