Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2907FE,LXHF(CT
RN2907FE,LXHF(CT

RN2907FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2907FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: ES6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RN2907FE,LXHF(CT за ціною від 5.35 грн до 25.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2907FE,LXHF(CT RN2907FE,LXHF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.41 грн
20+15.27 грн
100+9.61 грн
500+6.72 грн
1000+5.97 грн
2000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN2907FE,LXHF(CT RN2907FE,LXHF(CT Виробник : Toshiba 3339324539463346324344424246333744453030413132393535383044413535.pdf Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.