RN2909,LF(CT

RN2909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


RN2909_datasheet_en_20211223.pdf?did=18909&prodName=RN2909
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: US6.

Інші пропозиції RN2909,LF(CT за ціною від 2.53 грн до 16.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2909,LF(CT RN2909,LF(CT Виробник : Toshiba 327FF6DD72E7D03ABDD71A21F7C3D3031A16BDA3A4BA93E2FEA5CF50FCC0D726.pdf Digital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 8874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+16.25 грн
34+9.70 грн
100+5.20 грн
500+3.80 грн
1000+3.38 грн
3000+2.95 грн
6000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909,LF(CT RN2909,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2909_datasheet_en_20211223.pdf?did=18909&prodName=RN2909 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA US6
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.61 грн
32+9.60 грн
100+5.94 грн
500+4.08 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.