RN2909FE,LXHF(CT

RN2909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


RN2909FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2909FE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.29 грн
8000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2909FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: ES6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RN2909FE,LXHF(CT за ціною від 5.59 грн до 31.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2909FE,LXHF(CT RN2909FE,LXHF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN2909FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2909FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE,LXHF(CT RN2909FE,LXHF(CT Виробник : Toshiba RN2909FE_datasheet_en_20210818-1150856.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=47kO, Q1BER=22kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.50 грн
15+23.18 грн
100+12.58 грн
500+8.61 грн
1000+6.62 грн
4000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.