Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2910,LF(CT
RN2910,LF(CT

RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

RN2910_datasheet_en_20211223.pdf?did=18911&prodName=RN2910
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-61AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMQ
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF., Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 200mW, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-61AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: SMQ, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA.

Інші пропозиції RN2910,LF(CT за ціною від 21.55 грн до 21.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN2910,LF(CT RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2910_datasheet_en_20211223.pdf?did=18911&prodName=RN2910 Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMQ
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-61AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LF(CT RN2910,LF(CT Toshiba RN2910_datasheet_en_20210824-1627215.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 8549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LF(CT RN2910_datasheet_en_20211223.pdf?did=18911&prodName=RN2910
RN2910,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
Part Status: Active
Supplier Device Package: SMQ
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-61AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910,LF(CT RN2910_datasheet_en_20210824-1627215.pdf
RN2910,LF(CT
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 8549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.