Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2911FE(TE85L,F)

RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Name: RN2911FE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 4516472-3
Price: 329.16 UAH
Availability: InStock

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA

на замовлення 3975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
13+	25.32 грн
19+	16.91 грн
100+	8.51 грн
500+	6.52 грн
1000+	4.83 грн
2000+	4.07 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6, Part Status: Active, Supplier Device Package: ES6, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 100mW, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount.

Інші пропозиції RN2911FE(TE85L,F)

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	RN2911FE(TE85L,F)	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Part Status: Active Supplier Device Package: ES6 Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 100mW Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	RN2911FE(TE85L,F)	Виробник : Toshiba	Bipolar Transistors - Pre-Biased ES6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.